MOSFET trench SiC da 1200 V CoolSiC™

I MOSFET trench SiC 1200 V CoolSiC ™ di  Infineon Technologies combinano le potenti caratteristiche fisiche del carburo di silicio con caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d’uso del dispositivo. I MOSFET trench SiC 1200 V CoolSiC sono costruiti su un processo a semiconduttore trench all'avanguardia, ottimizzato per fornire le  perdite più basse nell'applicazione e la massima affidabilità di funzionamento. Adatti per le alte temperature e le operazioni negli ambienti più difficili, questi dispositivi consentono l'implementazione semplificata e conveniente della massima efficienza di sistema.