MOSFET di potenza qualificati AEC-Q101 per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza qualificati AEC-Q101 di Toshiba per il settore automobilistico sono una vasta gamma di MOSFET di potenza per coprire varie applicazioni automobilistiche in sistemi a batteria da 12 V a 48 V. Toshiba opera nel settore automobilistico discreto sin dagli anni Sessanta, con i raddrizzatori. Ha introdotto i MOSFET per il settore automobilistico a partire dagli anni Novanta. Quanto a prestazioni e affidabilità, tutti i prodotti per il settore automobilistico di’Toshiba soddisfano e superano gli standard AEC-Q101.

Risultati: 39
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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64A magazzino
4.00021/08/2026 previsto
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 36.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1.427A magazzino
6.000In ordine
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 50 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 36 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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700A magazzino
6.00016/11/2026 previsto
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 20 A 22.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 37 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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594A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1.342A magazzino
6.00018/08/2026 previsto
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 156 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1.720A magazzino
2.00011/01/2027 previsto
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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220A magazzino
2.00016/11/2026 previsto
Min: 1
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 26 nC + 175 C 88.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1.289A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 7 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.1 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3A magazzino
5.00018/08/2026 previsto
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: 5.000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.6 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3.80014/09/2026 previsto
Min: 1
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 172 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4.00014/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49 nC + 175 C 157 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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9.03128/08/2026 previsto
Min: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4.98711/01/2027 previsto
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: 5.000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Min: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 52 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape