Transistor GaN eMode

I FET GaN eMode di Nexperia sono disponibili in un intervallo di tensione da 100 V a 650 V con prestazioni di commutazione superiori. Questi Transistor GaN offrono capacità di transizione rapide grazie ai loro bassi valori QC e QOSS con conseguente efficienza energetica elevata.

Risultati: 18
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Tecnologia
Nexperia GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1.756A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL 238A magazzino
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Nexperia GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT 250A magazzino
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Nexperia GaN FETs GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4 249A magazzino
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Nexperia GaN FETs GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL 160A magazzino
9019/10/2026 previsto
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Nexperia GaN FETs GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT 220A magazzino
3019/10/2026 previsto
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Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3 240A magazzino
1019/10/2026 previsto
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Nexperia GaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 2.405A magazzino
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: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 2.393A magazzino
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Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1.864A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 2.329A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1.892A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2.334A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8 857A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA 2.239A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2.488A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 565A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 52A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN