GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

Risultati: 7
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Frequenza di lavoro massima
Frequenza di lavoro minima
Tecnologia
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
Scheda dati
2.460A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion GaN
Central Semiconductor GaN FETs 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET
Scheda dati
1.359A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W GaN
Central Semiconductor GaN FETs 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET
Scheda dati
2.490A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement GaN
Central Semiconductor GaN FETs 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7"
Scheda dati
2.483A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW GaN
Central Semiconductor GaN FETs 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
Scheda dati
2.458A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion GaN
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 11A, N-Channel GaN FET
Scheda dati
2.080A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 17A, N-Channel GaN FET
Scheda dati
2.428A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN