MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione base-collettore VCBO Tensione emettitore-base VEBO Tensione di saturazione collettore-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Prodotto guadagno-larghezza di banda fT Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Qualifica Confezione
Panjit Transistor bipolari - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified 26.350A magazzino
Nastro continuo
0,249 €
0,141 €
0,087 €
0,062 €
Nastrati
0,039 €
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor bipolari - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 13.971A magazzino
Nastro continuo
0,181 €
0,108 €
0,065 €
0,046 €
Nastrati
0,034 €
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel