Diodi Shottky CoolSiC Generation 5 da 1200 V

Infineon 1200V CoolSiC Generation 5 Schottky Diodes are offered with forward currents up to 40A for TO-247, 20A in TO-220 and 10A in DPAK. CoolSiC Generation 5 target solar inverters, UPS, 3P SMPS, energy storage and motor drives applications. With Generation 5, reduction of forward voltage and its temperature dependency brings a new level of system efficiency. Moreover, an improved thermal performance compared to a silicon based solution increases system reliability and the possibility to increase output power in a given form factor. Combined with a Si HighSpeed 3 IGBT, they deliver 40% lower Si IGBT turn-on losses and reduced EMI.
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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Configurazione
If - Corrente diretta
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva
Vf - Tensione diretta
Ifsm - Sovracorrente diretta
Ir - Corrente inversa
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE
Scheda dati
1A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT Single 5 A 1.2 kV 1.8 V 59 A 33 uA - 55 C + 175 C IDK05G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC CHIP/DISCRETE
Scheda dati
1.20001/04/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 1.2 kV 1.4 V 290 A 23 uA - 55 C + 175 C IDW40G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology
Scheda dati
480In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Tube
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE
Scheda dati
Tempo di consegna 52 settimane
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT Single 16 A 1.2 kV 1.95 V 140 A 80 uA - 55 C + 175 C IDK16G120C5 Reel, Cut Tape