MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx

I MOSFET in carburo di silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di conduzione [RDS(ON)]. La resistenza in stato di conduzione è compresa tra 25 mΩ e 160 mΩ, e la corrente continua di scarico (ID) è compresa tra 20 A e 111 A. Questi dispositivi offrono commutazione ad alta velocità con bassa capacità e hanno una diodo corporeo intrinseco ultraveloce. Sono disponibili con una tensione di uscita-sorgente (VDSS) nominale di 650 V o 1.200 V. I MOSFET in carburo di silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx sono disponibili in tre involucri (TO-263-7L, TOLL-8 e TO-247-4L).

Risultati: 13
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale
IXYS MOSFET SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900A magazzino
Nastro continuo
11,16 €
6,32 €
6,24 €
5,91 €
Nastrati
5,91 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO263 894A magazzino
Nastro continuo
6,72 €
4,55 €
3,32 €
Nastrati
2,99 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO263-7L 870A magazzino
Nastro continuo
7,67 €
4,19 €
3,85 €
3,57 €
Nastrati
3,57 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO263-7L 900A magazzino
Nastro continuo
9,29 €
5,16 €
4,91 €
4,59 €
Nastrati
4,59 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L 813A magazzino
Nastro continuo
10,25 €
6,75 €
6,10 €
5,55 €
Nastrati
5,08 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL 2.084A magazzino
Nastro continuo
11,16 €
6,32 €
6,24 €
5,83 €
Nastrati
5,83 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TOLL 2.095A magazzino
Nastro continuo
7,59 €
4,14 €
3,80 €
3,76 €
3,56 €
Nastrati
3,56 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TOLL 2.090A magazzino
Nastro continuo
9,18 €
5,10 €
4,83 €
4,58 €
Nastrati
4,58 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 520A magazzino
11,37 €
6,45 €
5,98 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC TO247 1200V N CH 20A 542A magazzino
Nastro continuo
6,40 €
3,43 €
2,80 €
Nastrati
2,80 €
Min: 1
Mult.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV 550A magazzino
7,79 €
4,26 €
3,69 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV 550A magazzino
9,36 €
6,45 €
4,69 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 537A magazzino
Nastro continuo
10,47 €
6,76 €
6,27 €
Nastrati
5,47 €
5,23 €
Min: 1
Mult.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement