Circuiti integrati gate driver ad alta tensione EiceDRIVER™

I circuiti integrati gate driver ad alta tensione EiceDRIVER™ di Infineon Technologies per applicazioni in veicoli elettrici (EV) includono CI driver IGBT e CI driver MOSFET SiC certificati per il settore automobilistico. I circuiti integrati gate driver EiceDRIVER™ ad alta tensione di Infineon Technologies forniscono isolamento galvanico e trasmissione bidirezionale del segnale con capacità di operare in ambienti a temperatura elevata. I CI consentono di avere ritardi di propagazione estremamente brevi e supportano le tecnologie IGBT e SiC fino a 1200 V. I dispositivi integrano caratteristiche/parametri chiave per azionare i MOSFET SiC, come un comportamento di commutazione migliorato (capacità CMTI estesa, breve ritardo di propagazione, frequenza di commutazione), ampio intervallo di alimentazione lato uscita, breve tempo morto interno e adattamento del livello di soglia DESAT/OCP. Le funzionalità avanzate di monitoraggio e protezione facilitano l'implementazione dei requisiti di sicurezza funzionale ISO 26262 e garantiscono un funzionamento stabile in ambienti EMC severi.