MOSFET Superjunction DTMOS-VI 650 V

I MOSFET Superjunction DTMOS-VI da  650 V Toshiba sono progettati per funzionare in alimentatori a commutazione. Questi MOSFET a canale N presentano proprietà di commutazione ad alta velocità con minore capacità. I  MOSFET in silicio Superjunction DTMOS-VI da 650 V offrono bassa resistenza in conduzione drain-source tipica da 0,092Ω a 0,175Ω. Questi dispositivi presentano una tensione drain-source di 10 V.