NVBG080N120SC1

onsemi
863-NVBG080N120SC1
NVBG080N120SC1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

Scheda dati:
Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.
Maggiori informazioni
Maggiori informazioni su onsemi NVBG080N120SC1

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
30 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 9 ns
Transconduttanza diretta - Min: 11 S
Confezione: Reel
Confezione: Cut Tape
Confezione: MouseReel
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Serie: NVBG080N120SC1
Quantità colli di fabbrica: 800
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Ritardo di spegnimento tipico: 21 ns
Tipico ritardo di accensione: 12 ns
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

Scheda dati

PCN

Codici di conformità
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

Le applicazioni di infrastruttura energetica come ricarica di veicoli elettrici, accumulo di energia, sistemi di continuità (UPS) e solare stanno spingendo i livelli di potenza del sistema a centinaia di kilowatt e persino megawatt. Queste applicazioni ad alta potenza impiegano topologie a semiponte, ponte completo e trifase con cicli di lavoro fino a sei interruttori per inverter e BLDC. A seconda del livello di potenza e delle velocità di commutazione, i progettisti di sistemi considerano varie tecnologie di commutazione, tra cui silicio, IGBT e SIC, per adattarsi al meglio ai requisiti applicativi.

MOSFET EliteSiC (carburo di silicio) da 1200 V

I MOSFET EliteSiC (carburo di silicio) da 1200 V di  onsemi utilizzano una tecnologia completamente nuova e offrono prestazioni di commutazione superiori e un'elevata affidabilità rispetto al silicio. Questi MOSFET offrono una bassa resistenza all'accensione che assicura una bassa capacità elettrica e carica del gate. I MOSFET EliteSic da 1200 V offrono vantaggi di sistema, tra cui alta efficienza, funzionamento veloce frequenza, aumento densità di potenza, riduzione delle EMI e riduzione del sistema dimensioni. Questi MOSFET presentano tensione di blocco, commutazione ad alta velocità, bassa capacità elettrica e un intervallo di temperatura di funzionamento da -55°C a +175°C . I MOSFET SiC da 1200 V sono qualificati per il settore automobilistico AEC-Q101 e sono conformi a RoHS. Questi MOSFET sono adatti per inverter boost, stazioni di ricarica, inverter CC-CC, convertitori CC-CC, caricatori integrati (OBC), controllo motori, alimentatori industriali e alimentatori per server.

MOSFET EliteSiC M1

MOSFET EliteSiC M1 di onsemi  con tensione   nominale di 1200 V e 1700 V. I MOSFET M1 di onsemi  sono progettati per soddisfare i requisiti delle applicazioni ad alta potenza che richiedono affidabilità ed efficienza. I MOSFET EliteSiC M1 sono disponibili in varie opzioni di package, tra cui D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD e die nude.

MOSFET SiC da 1200 V NVBG080N120SC1

Il MOSFET SiC da 1200 V NVBG080N120SC1 di onsemi offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Questo MOSFET ha una resistenza ON bassa e un chip di dimensioni compatte, garantendo bassa capacità elettrica e carica del gate. Il MOSFET NVBG080N120SC1 di onsemi presenta alta efficienza funzionamento veloce, aumento della densità di potenza, riduzione dell'interferenza elettromagnetica (EMI) e riduzione della dimensione del sistema. Le applicazioni tipiche includono caricabatterie per il settore automobiistico e convertitori CC/CC automobilistici per EV/HEV.

A magazzino: 1.930

A magazzino:
1.930 Spedizione immediata
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
32 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:
Confezione:
Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ †
10,44 € 10,44 €
7,24 € 72,40 €
5,72 € 572,00 €
5,67 € 2.835,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)
5,41 € 4.328,00 €
2.400 Offerta
† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Si è verificato un errore imprevisto.


Hai domande? Si prega di visitare il Centro assistenza.
Per domande su uno specifico ordine, acceda al suo account.

In caso di ulteriori problemi, ci contatti al numero 800-346-6873 o invii un’e-mail a help@mouser.com.