Risultati: 43
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 614A magazzino
10,75 €
5,94 €
5,62 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 26 mOhms 20 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1.376A magazzino
2.64024/12/2026 previsto
6,83 €
3,60 €
3,31 €
3,09 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 2.756A magazzino
6,05 €
3,23 €
2,96 €
2,81 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 284A magazzino
720In ordine
9,40 €
5,12 €
4,74 €
4,71 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 61A magazzino
Nastro continuo
7,76 €
4,29 €
3,95 €
3,88 €
Nastrati
3,47 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 974A magazzino
4,39 €
2,27 €
1,94 €
1,71 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 160A magazzino
24010/12/2026 previsto
8,48 €
5,56 €
4,07 €
4,06 €
3,94 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 812A magazzino
3,22 €
2,10 €
1,52 €
1,28 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 338A magazzino
2,92 €
1,46 €
1,32 €
1,06 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 748A magazzino
3,21 €
1,62 €
1,46 €
1,19 €
1,15 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 41A magazzino
50010/12/2026 previsto
6,97 €
3,77 €
3,46 €
3,17 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 214A magazzino
5,01 €
2,56 €
2,34 €
2,04 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 151A magazzino
12,95 €
7,29 €
7,16 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 517A magazzino
Nastro continuo
4,84 €
2,53 €
2,46 €
2,18 €
2,02 €
Nastrati
1,95 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 90 mOhms 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
4.00004/02/2027 previsto
Nastro continuo
10,85 €
7,85 €
6,54 €
5,83 €
Nastrati
5,51 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
50001/04/2027 previsto
4,09 €
2,12 €
1,92 €
1,57 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 19 settimane
Nastro continuo
4,17 €
2,23 €
2,03 €
1,73 €
1,66 €
Nastrati
1,55 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
4,22 €
2,12 €
2,00 €
1,89 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube