Risultati: 5
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp 1.148A magazzino
2,92 €
1,90 €
1,32 €
1,09 €
0,946 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 5A N-CH MOSFET 1.535A magazzino
Nastro continuo
2,06 €
1,32 €
1,09 €
0,929 €
Nastrati
0,86 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 5A N-CH MOSFET
3.050A magazzino
1,76 €
1,20 €
0,80 €
0,688 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRF8
1.157A magazzino
2,06 €
1,43 €
1,01 €
0,777 €
0,748 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 5A N-CH MOSFET 1.057A magazzino
2,55 €
1,43 €
1,13 €
0,92 €
0,877 €
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube