MRF1K50NR5

NXP Semiconductors
841-MRF1K50NR5
MRF1K50NR5

Produttore:

Descrizione:
Transistor RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Ciclo di vita:
Fine vita:
la produzione sta per cessare.
Scheda dati:
Modello ECAD:
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NXP
Categoria prodotto: Transistor RF MOSFET
RoHS::  
N-Channel
Si
36 A
133 V
1.8 MHz to 500 MHz
23 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel
Cut Tape
Marchio: NXP Semiconductors
Transconduttanza diretta - Min: 33.5 S
Sensibili all’umidità: Yes
Numero di canali: 2 Channel
Pd - Dissipazione di potenza: 2.941 kW
Tipo di prodotto: RF MOSFET Transistors
Serie: MRF1K50N
Quantità colli di fabbrica: 50
Sottocategoria: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensione gate-source: + 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2.7 V
Alias n. parte: 935318822578
Peso unità: 5,281 g
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Attributi selezionati: 0

Scheda dati

EOL

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Malesia
Paese di origine dell'assemblaggio:
Malesia
Paese di diffusione:
Stati Uniti d'America
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections. 

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