30V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 30V Single N-Channel Power MOSFETs feature a low RDS(ON) (drain-source on-state resistance), which minimizes conductive losses. These devices also feature a low gate charge for fast switching. These N-Channel Power MOSFETs are ideal for battery power management, load switching, motor control, and DC-DC converter applications.

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET 2.489A magazzino
Nastro continuo
1,26 €
0,587 €
0,522 €
0,408 €
Nastrati
0,33 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 5.2 mOhms 20 V 2.5 V 41 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 194A, Single N-Channel Power MOSFET 826A magazzino
Nastro continuo
2,23 €
1,09 €
0,98 €
0,784 €
Nastrati
0,716 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 194 A 1.8 mOhms 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 59A, Single N-Channel Power MOSFET 2.439A magazzino
Nastro continuo
1,05 €
0,485 €
0,43 €
0,334 €
Nastrati
0,267 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 59 A 8 mOhms 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 55.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel