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RJ1N04BBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1N04BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1N04BBHTL1
Price: 3.85 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RJ1N04BBHTL1

N. produttore:

RJ1N04BBHTL1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

RJ1N04BBHTL1 Scheda dati

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-263AB-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	100 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	5.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	46 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	89 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	38 ns
Transconduttanza diretta - Min:	20 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	14 ns
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	65 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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	1,79 €	179,00 €
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	1,43 €	1.144,00 €

RJ1N04BBHTL1

Produttore: ROHM Semiconductor

Descrizione: MOSFET Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

Caratteristiche tecniche

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Scheda dati

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