Diodi Schottky al carburo di silicio

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di onsemi forniscono prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità per dispositivi basati su silicio. Questi diodi offrono zero reverse recovery, commutazione indipendente dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche. Tra i vantaggi di sistema ci sono la frequenza di funzionamento rapida ad alta efficienza, una maggiore densità di potenza, basse EMI e dimensioni e costi di sistema ridotti.  onsemi offre dispositivi da 650 V e 1200 V in una gamma di opzioni di package e di corrente, ideali per le progettazioni di sistemi di alimentazione di prossima generazione.