MOSFET trench SiC da 1700V CoolSiC™

I MOSFET Trench SiC CoolSiC™ da 1.700 V di Infineon sono caratterizzati da un rivoluzionario materiale al carburo di silicio ottimizzato per topologie flyback. I MOSFET Trench SiC offrono tensioni gate-source 12 V/0 V compatibili con gran parte dei controller flyback.

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 6.541A magazzino
9.000In ordine
Nastro continuo
6,58 €
4,40 €
3,54 €
3,15 €
Nastrati
2,79 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1.000
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 2.436A magazzino
Nastro continuo
5,85 €
3,84 €
2,82 €
2,51 €
Nastrati
2,22 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
24.949In ordine
Nastro continuo
5,20 €
3,41 €
2,55 €
2,13 €
Nastrati
1,85 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC