FF900R12ME7B11NPSA1

Infineon Technologies
726-FF900R12ME7B11N1
FF900R12ME7B11NPSA1

Produttore:

Descrizione:
Moduli IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module

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Infineon
Categoria prodotto: Moduli IGBT
RoHS:: N
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
900 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Marchio: Infineon Technologies
Tipo di prodotto: IGBT Modules
Quantità colli di fabbrica: 10
Sottocategoria: Discrete and Power Modules
Nome commerciale: EconoDUAL
Alias n. parte: FF900R12ME7_B11 SP005422550
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Codici di conformità
CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Austria
Paese di diffusione:
Austria
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Unità di azionamento industriali

Le unità industriali di Infineon offrono un ampio portafoglio di semiconduttori efficienti ottimizzati per gli azionamenti motore. Il progettista può contare sui moduli di alimentazione intelligenti (IPM) Infineon e discreti per progetti intelligenti nella gamma a bassa potenza. Per le unità di media potenza, i moduli EasyPIM™, EasyPACK™ e EconoPIM™ di Infineon sono la combinazione perfetta. Passando allo spettro ad alta potenza, EconoDUAL™ e PrimePACK™ sono le soluzioni da scegliere. Queste sono combinate con l'innovativa tecnologia di interconnessione .XT. I moduli PrimePACK possono aiutare i progettisti a superare il dilemma della sovratensione prolungando la durata tramite aumento delle capacità di cicli termici e di potenza.

EconoDUAL™ 3 IGBT Modules

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support currents ranging from 100A to 900A at various voltages, including 600V, 650V, 1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.

Moduli di configurazione doppi TRENCHSTOP™ IGBT7 E7

I moduli a doppia configurazione TRENCHSTOP™ IGBT7 E7 Infineon Technologies sono basati sulla tecnologia a trincea a micro-pattern che riduce le perdite ed offre un’elevata controllabilità. Il concetto di cella è caratterizzato dall'implementazione di celle di trincea parallele separate da mesh sub-micron in contrasto con celle di trincea quadrate. Un chip appositamente ottimizzato per applicazioni di azionamento industriale e sistemi a energia solare fornisce basse perdite statiche, alta densità di potenza e commutazione soft. Con una temperatura di funzionamento massima di +175°C, i moduli consentono un aumento significativo della densità di potenza.

Modulo IGBT doppio FF900R12ME7_B11

Il modulo IGBT doppio FF900R12ME7_B11 di Infineon Technologies presenta EconoDUAL™ 3, il modulo doppio TRENCHSTOP™ IGBT7, NTC e la tecnologia di contatto PressFIT. Questo modulo IGBT presenta un'elevata densità di potenza, terminali migliorati e un sensore di temperatura NTC integrato. Il modulo FF900R12ME7_B11 ha un assemblaggio facile e affidabile e consente di evitare il collegamento in parallelo dei moduli IGBT. Questo modulo IGBT può essere stoccato in ambienti con un intervallo di temperatura da -40°C a 125°C. Il modulo FF900R12ME7_B11 include una distanza di passo ottimizzata per applicazioni fotovoltaiche da 1500 V e pin di controllo PressFIT e terminali di alimentazione a vite. Questo modulo IGBT è ideale per l'uso nei dispositivi di controllo dei motori, soluzioni per sistemi a energia solare, servoazionamenti e sistemi UPS.

A magazzino: 15

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