RF4G100BGTCR

ROHM Semiconductor
755-RF4G100BGTCR
RF4G100BGTCR

Produttore:

Descrizione:
MOSFET DFN2020 N-CH 40V 10A

Modello ECAD:
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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
DFN-2020-8
N-Channel
1 Channel
40 V
10 A
14.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
10.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: ROHM Semiconductor
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 4.5 ns
Transconduttanza diretta - Min: 5.2 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 6.5 ns
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Ritardo di spegnimento tipico: 21 ns
Tipico ritardo di accensione: 8.5 ns
Alias n. parte: RF4G100BG
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Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Thailandia
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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A magazzino: 740

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Stima Tariffa:

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