UG3SC120009K4S

onsemi
431-UG3SC120009K4S
UG3SC120009K4S

Produttore:

Descrizione:
JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO

Scheda dati:
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onsemi
Categoria prodotto: JFET
RoHS::  
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Single
1.2 kV
- 25 V to 25 V
6 uA
120 A
7.6 mOhms
789 W
- 55 C
+ 175 C
UG3S
Tube
Marchio: onsemi
Tipo di prodotto: JFETs
Quantità colli di fabbrica: 600
Sottocategoria: Transistors
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Scheda dati

PCN

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Filippine
Paese di origine dell'assemblaggio:
Filippine
Paese di diffusione:
Stati Uniti d'America
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Veicoli commerciali e agricoli elettrici (eCAV)

I veicoli agricoli commerciali elettrici (eCAV) di Onsemi stanno trasformando l'agricoltura moderna, sostituendo i motori diesel e a benzina con sistemi di trasmissione elettrici a batteria, ibridi ed a estensione di autonomia su trattori, mietitrebbie, irroratrici, caricatori, veicoli per uso generale e di trasporto e robot autonomi per il campo. I progressi nelle batterie agli ioni di litio e LFP, gli incentivi governativi, l'aumento dei costi di carburante e manutenzione e la crescente pressione volta a ridurre le emissioni hanno contribuito a far crescere il mercato globale degli eCAV da $2.0 miliardi nel 2025 a $4.63 miliardi entro il 2031, rappresentando un CAGR del 14,99%. Il risultato: macchine più silenziose, a manutenzione ridotta che offrono coppia istantanea, frenata rigenerativa e costi operativi orari inferiori.

UG3SC Combo-FET 1.200 V 7,6 mΩ

UG3SC Combo-FET 1.200 V 7,6 mΩ di onsemi combina un JFET SiC da 1.200 V e un MOSFET Si a basso voltaggio in un unico package TO-247-4L. Questa progettazione consente di avere un interruttore normalmente disattivato, sfruttando al contempo i vantaggi di un JFET SiC normalmente attivato. UG3SC Combo-FET di onsemi offre una resistenza di conduzione ultra-bassa [RDS(on)] per perdite di conduzione ridotte e la robustezza necessaria per l'alta energia commutazione in protezione del circuito applicazioni.

Combo-FET

I Combo-FET di onsemi sono dispositivi rivoluzionari che combinano un JFET SiC di onsemi con una bassa RDS(on) con un MOSFET Si in un unico package compatto. Progettati espressamente per applicazioni di protezione a bassa frequenza, come interruttori di circuito a stato solido, disconnessioni della batteria e protezione da sovratensione, questi Combo-FET consentono agli utenti di accedere al gate del JFET per ottimizzare la progettazione. L'integrazione del MOSFET Si in questi Combo-FET di onsemi garantisce una soluzione normalmente disattivata, ottenendo una riduzione delle dimensioni superiore al 25% rispetto alle implementazioni discrete.

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