MOSFET a canale N MXP120 MaxSiC™ da 1200 V

I MOSFET a canale N MXP120 MaxSiC™ da 1200 V di Vishay Semiconductors presentano una tensione drain-source di 1200 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di resistenza a corto circuito di 3 μs. Questi MOSFET presentano inoltre una dissipazione di potenza massima da 56 W a 288 W (T_c = 25 °C) e una corrente di drain continua da 10,5 A a 53 A (T_c = 25 °C). I MOSFET a canale N MXP120 MaxSiC™ da 1200 V sono esenti da alogeni e sono disponibili nei pacchetti TO-247AD 3L, TO-247AD 4L e TO-263 7L. Questi MOSFET vengono utilizzati in caricatori, azionamenti motori ausiliari e convertitori CC-CC.