Gate driver IGBT/MOSFET NCD57090 e NCV57090

I driver per gate IGBT/MOSFET onsemi NCD57090 e NCV57090 sono driver per gate a canale singolo ad alta corrente per IGBT e MOSFET, con isolamento galvanico interno di 5kVrms. I modelli NCD57090 e NCV57090 garantiscono un'elevata efficienza e affidabilità del sistema nelle applicazioni ad alta potenza. Questi dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come il Clamp Miller attivo, l'alimentazione negativa e uscite driver alte e basse (OUTH e OUTL) separate per agevolare la progettazione del sistema. I modelli NCD57090 e NCV57090 sono in grado di gestire un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione di ingresso e livelli di segnale da 3,3V a 20,0V.