Transistor bipolari - BJT – Mouser Italia

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Transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD

I transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD di Diodes Inc. sono transistor bipolari qualificati AEC-Q101, con capacità PPAP e prodotti in impianti certificati IATF16949. Ogni dispositivo ha una tensione di rottura collettore-emettitore di 50 V o 100 V (minimo). I transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD di Diodes Inc. sono disponibili in un package TO-252 (DPAK) e sono ideali per applicazioni di commutazione di potenza o amplificazione.

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Tensione collettore-emettitore VCEO Max

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Seleziona	Immagine	Codice	Produttore	Descrizione	Scheda dati	Disponibilità	Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.	Qtà	RoHS	Modello ECAD	Tecnologia	Stile di montaggio	Package/involucro	Polarità transistor	Configurazione	Tensione collettore-emettitore VCEO Max	Tensione base-collettore VCBO	Tensione emettitore-base VEBO	Tensione di saturazione collettore-emettitore	Pd - Dissipazione di potenza	Temperatura di lavoro minima	Temperatura di lavoro massima	Qualifica	Confezione
	Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K MJD41CQ-13 Diodes Incorporated 1: 1,05 € 4.805A magazzino	Produttore Codice prodotto MJD41CQ-13 Codice Mouser 621-MJD41CQ-13	Diodes Incorporated	Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K Maggiori informazioni su Diodes Incorporated diodes inc mjd medium power transistors	Scheda dati	4.805A magazzino	Nastro continuo 1,05 € 0,567 € 0,426 € Nastrati 0,426 € MouseReel disponibile	Min: 1 Mult.: 1 Max.: 290 : 2.500			Si	SMD/SMT	TO-252-3	NPN	Single	100 V	120 V	7 V	1.5 V	2.7 W	- 55 C	+ 150 C	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K MJD42CQ-13 Diodes Incorporated 1: 0,946 € 922A magazzino	Produttore Codice prodotto MJD42CQ-13 Codice Mouser 621-MJD42CQ-13	Diodes Incorporated	Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K Maggiori informazioni su Diodes Incorporated diodes inc mjd medium power transistors	Scheda dati	922A magazzino	Nastro continuo 0,946 € 0,444 € 0,384 € 0,339 € 0,299 € Nastrati 0,229 €	Min: 1 Mult.: 1 : 2.500			Si	SMD/SMT	TO-252-3	NPN	Single	100 V	120 V	7 V	7 V	2.7 W	- 55 C	+ 150 C	AEC-Q100	Reel, Cut Tape
	Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated 1: 0,998 € 8A magazzino 5.00020/01/2027 previsto	Produttore Codice prodotto MJD31CHQ-13 Codice Mouser 621-MJD31CHQ-13	Diodes Incorporated	Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K Maggiori informazioni su Diodes Incorporated diodes inc mjd medium power transistors	Scheda dati	8A magazzino 5.00020/01/2027 previsto	Nastro continuo 0,998 € 0,519 € 0,395 € Nastrati 0,243 €	Min: 1 Mult.: 1 : 2.500			Si	SMD/SMT	TO-252-3	NPN	Single	100 V	120 V	7 V	1.2 V	2.6 W	- 55 C	+ 150 C	AEC-Q100	Reel, Cut Tape
	Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K MJD2873Q-13 Diodes Incorporated 1: 0,765 € 2.50010/09/2027 previsto	Produttore Codice prodotto MJD2873Q-13 Codice Mouser 621-MJD2873Q-13	Diodes Incorporated	Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K Maggiori informazioni su Diodes Incorporated diodes inc mjd medium power transistors	Scheda dati	2.50010/09/2027 previsto	Nastro continuo 0,765 € 0,456 € 0,323 € Nastrati 0,323 €	Min: 1 Mult.: 1 Max.: 490 : 2.500			Si	SMD/SMT	TO-252-3	NPN	Single	50 V	70 V	7 V	300 mV	2.6 W	- 55 C	+ 150 C	AEC-Q100	Reel, Cut Tape