MOSFET MV Trench6 a canale N

I MOSFET MV Trench6 a canale N di onsemi sono MOSFET da 30V, 40V e 60V prodotti utilizzando un processo Power Trench avanzato e ottimizzato che incorpora la tecnologia di Gate schermato. Il processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo soft body della categoria.

Risultati: 448
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
onsemi MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO 1.346A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V DPAK EXP 1.645A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 45 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V SG 749A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN 1.521A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 30V NCH U8FL 948A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 60 V 3.0 mOhms 150 A 693A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel 2.970A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN 1.474A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL 1.231A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 51 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel 2.965A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 159 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.2 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 697A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM 1.500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO 1.363A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 2.898A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 116 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1.497A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1.485A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 20.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1.145A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 116
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 28 A 26 mOhms 20 V 3 V 5.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM 2.220A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 222
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 9.4 mOhms 20 V 2.1 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm 1.440A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.2 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V HEFET 5.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 5.000

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 670 uOhms 20 V 2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 2.858A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 286
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-40V N 0.67 MOHMS LL 1.265A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 127
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 670 uOhms 20 V 2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-40V N 2 MOHMS LL 3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-40V N 0.7 MOHMS SL 1.500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 150
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 378 A 700 uOhms 20 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape