Transistor discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 650 V

I transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ da 650 V di Infineon Technologies sono dotati di tecnologia avanzata che soddisfa la domanda di applicazioni di energia efficiente. I transistori da 650 V diInfineon Technologies presentano un'innovativa progettazione trench a micro-pattern per un controllo preciso e alte prestazioni. Il design comporta una significativa riduzione delle perdite, una maggiore efficienza e una maggiore densità di potenza in vari settori come inverter di stringhe, sistemi di accumulo di energia (ESS), ricarica di veicoli elettrici, gruppi di continuità industriali e saldatura.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Scheda dati
21007/01/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Scheda dati
24029/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Scheda dati
24018/03/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube