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CGHV14800F

Name: MACOM CGHV14800F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV14800F
Price: 1345.19 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

941-CGHV14800F

N. produttore:

CGHV14800F

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

Scheda dati:

CGHV14800F Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	440117
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	24 A
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	- 3.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 100 C
Marchio:	MACOM
Kit di sviluppo:	CGHV14800F-TB
Guadagno:	14 dB
Frequenza di lavoro massima:	1.4 GHz
Frequenza di lavoro minima:	1.2 GHz
Potenza di uscita:	800 W
Confezione:	Tray
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 10 V to 2 V
Peso unità:	71 g

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Scheda dati

CGHV14800F Scheda dati (PDF)

PCN

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Stati Uniti d'America
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

CGHV14800 GaN HEMT

MACOM CGHV14800F 800W Gallium-Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed specifically for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The module is ideal for 1.2GHz to 1.4GHz L-band radar amplifier applications, such as air traffic control (ATC), weather, penetration, and military. MACOM CGHV14800F GaN HEMT operates at 50V, typically delivering more than 65% drain efficiency. This device is supplied in a ceramic/metal flange type 440117 package.

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CGHV14800F

Produttore: MACOM

Descrizione: GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

Caratteristiche tecniche

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