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RH7G04CBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBKFRATCB
Price: 1.93 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RH7G04CBKFRATCB

N. produttore:

RH7G04CBKFRATCB

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	40 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	19.1 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	62 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9..3 ns
Transconduttanza diretta - Min:	11 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	10.5 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	41.7 ns
Tipico ritardo di accensione:	14.3 ns

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Giappone
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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	0,835 €	83,50 €
	0,665 €	332,50 €
	0,61 €	610,00 €
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	0,554 €	1.662,00 €

RH7G04CBKFRATCB

Produttore: ROHM Semiconductor

Descrizione: MOSFET Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Caratteristiche tecniche

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Scheda dati

Other

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

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