NDSH40120CDN

onsemi
863-NDSH40120CDN
NDSH40120CDN

Produttore:

Descrizione:
Diodi Schottky SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

Scheda dati:
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onsemi
Categoria prodotto: Diodi Schottky SiC
RoHS::  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3LD
Dual Anode Common Cathode
52 A
1.2 kV
1.36 V
123 A
2.39 uA
- 55 C
+ 175 C
1.2 kV
NDSH40120CDN
Tube
Marchio: onsemi
Pd - Dissipazione di potenza: 217 W
Tipo di prodotto: SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica: 30
Sottocategoria: Diodes & Rectifiers
Nome commerciale: EliteSiC
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Scheda dati

Codici di conformità
TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541590000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Diodi EliteSiC D3

I diodi EliteSiC   D3 di onsemi  sono una soluzione per applicazioni che richiedono PFC ad alta potenza e raddrizzamento di uscita. Il D3 di onsemi  ha una tensione nominale massima di 1200 V. Questi diodi sono disponibili in due opzioni di package, TO-247-2LD e TO-247-3LD, e forniscono flessibilità per vari progetti. I diodi Elitesici D3 sono ottimizzati per il funzionamento ad alta temperatura con bassa dipendenza dalla temperatura di resistenza in serie, garantendo prestazioni costanti e affidabili anche in condizioni estreme.

Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) NDSH40120CDN

Il diodo   Schottky in carburo di silicio (SiC) NDSH40120CDN di Onsemi   fornisce; prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Il diodo Onsemi non ha corrente di recupero inversa e vanta caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche. I vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più veloce, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e inferiori dimensioni e costi del sistema.

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Stima Tariffa:

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