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SCT3030ARC15

Name: ROHM Semiconductor SCT3030ARC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3030ARC15
Price: 12.93 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

755-SCT3030ARC15

N. produttore:

SCT3030ARC15

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET SiC TO247 650V 70A N-CH SIC

Scheda dati:

SCT3030ARC15 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	70 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	39 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5.6 V
Qg - Carica del gate:	104 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	262 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	25 ns
Transconduttanza diretta - Min:	9.4 S
Confezione:	Tube
Prodotto:	MOSFET's
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	26 ns
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Polarità transistor:	N-Channel
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	25 ns
Tipico ritardo di accensione:	6 ns

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SCT3030ARC15 Scheda dati

Specification Sheets

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Giappone
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza SiC a canale N

I MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) a canale N di ROHM Semiconductor non presentano corrente di coda durante la commutazione, con conseguente funzionamento più rapido e perdita di commutazione ridotta. La bassa resistenza in conduzione e le dimensioni compatte del chip garantiscono bassa capacità elettrica e bassa carica di gate. Questi MOSFET di potenza SiC ROHM mostrano aumenti minimi della resistenza in conduzione e permettono una maggiore miniaturizzazione del package. Ciò consente maggiori risparmi energetici rispetto ai dispositivi al silicio standard, in cui la resistenza in conduzione può più che raddoppiare con l'aumento della temperatura.

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SCT3030ARC15

Produttore: ROHM Semiconductor

Descrizione: MOSFET SiC TO247 650V 70A N-CH SIC

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