MOSFET di potenza SiC a canale N

I MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) a canale N di ROHM Semiconductor non presentano corrente di coda durante la commutazione, con conseguente funzionamento più rapido e perdita di commutazione ridotta. La bassa resistenza in conduzione e le dimensioni compatte del chip garantiscono bassa capacità elettrica e bassa carica di gate. Questi MOSFET di potenza SiC ROHM mostrano aumenti minimi della resistenza in conduzione e permettono una maggiore miniaturizzazione del package. Ciò consente maggiori risparmi energetici rispetto ai dispositivi al silicio standard, in cui la resistenza in conduzione può più che raddoppiare con l'aumento della temperatura.