FET lineari OptiMOS™

Il FET lineare OptiMOS™ di Infineon Technologies è una soluzione per evitare il compromesso tra la resistenza di stato RDS(on) e la capacità di funzionamento in modalità lineare nella regione di saturazione di un MOSFET in modalità avanzata. I dispositivi presentano l'RDS(on) all'avanguardia di un MOSFET trench e l'ampia area di funzionamento sicura di un MOSFET planare classico. Il FET lineare OptiMOS previene i danni al carico limitando le correnti di spunto elevate.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS 13.859A magazzino
Nastro continuo
7,14 €
3,84 €
3,53 €
3,29 €
Nastrati
3,29 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 1.7 mOhms 20 V 2.2 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 13.965A magazzino
Nastro continuo
8,19 €
5,76 €
4,66 €
4,15 €
Nastrati
3,67 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 3.9 mOhms 20 V 3.3 V 84 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel