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RD3U041AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3U041AAFRATL
Price: 2.05 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RD3U041AAFRATL

N. produttore:

RD3U041AAFRATL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET

Scheda dati:

RD3U041AAFRATL Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	250 V
Id - corrente di drain continua:	4 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.3 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5.5 V
Qg - Carica del gate:	8.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	29 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	15 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	14 ns
Serie:	RD3
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	18 ns
Tipico ritardo di accensione:	15 ns
Alias n. parte:	RD3U041AAFRA
Peso unità:	330 mg

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ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Scheda dati

RD3U041AAFRATL Scheda dati

Specification Sheets

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Thailandia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza da 250 V 4 A a canale N

Il MOSFET di potenza da 250 V 4 A a canale N di ROHM Semiconductor presenta una bassa resistenza in conduzione e commutazione rapida. Con semplici circuiti di azionamento e una tensione sorgente di drenaggio di 250 V, RD3U041AATRA è adatto per applicazioni di commutazione. Il MOSFET di potenza 250 V 4 A a canale N RD3U041AAFRA di ROHM è un MOSFET di grado del settore automobilistico, qualificato AEC-Q101.

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RD3U041AAFRATL

Produttore: ROHM Semiconductor

Descrizione: MOSFET TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET

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