MOSFET di tipo trench a canale N 2N7002H

I MOSFET di tipo trench a canale N 2N7002H di Nexperia sono MOSFET a FET (Field-Effect Transistor) ad arricchimento. Il 2N7002H è alloggiato in un piccolo package in plastica a montaggio superficiale (SMD) SOT23. I MOSFET sono compatibili a livello logico, hanno una commutazione molto rapida e sono certificati AEC-Q101.

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Nexperia MOSFET 2N7002HW/SOT323/SC-70 17.382A magazzino
12.00018/06/2027 previsto
Nastro continuo
0,258 €
0,112 €
0,097 €
0,073 €
Nastrati
0,055 €
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 1.6 Ohms 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB 25.607A magazzino
48.00018/10/2027 previsto
Nastro continuo
0,163 €
0,072 €
0,063 €
0,046 €
Nastrati
0,035 €
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 360 mA 1.6 Ohms 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET 2N7002HS/SOT363/SC-88 42A magazzino
15.00022/10/2027 previsto
Nastro continuo
0,344 €
0,148 €
0,129 €
0,088 €
0,083 €
Nastrati
0,058 €
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 1.6 Ohms 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel