MOSFET di potenza

MOSFET di potenza YAGEO XSemi utilizza tecniche di elaborazione avanzate per una bassa resistenza di accensione, efficienza, e convenienza. I MOSFET di potenza YAGEO XSemi sono disponibili in diversi pacchetti per soddisfare le esigenze delle applicazioni. I pacchetti disponibili per il dispositivo sono ampiamente utilizzati per applicazioni commerciali e industriali.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 600V 0.0 53A SOT-23 922A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT-23S 1.664A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -60V -1. 6A SOT-23S 954A magazzino
6.00010/11/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
2.95527/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.9 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel