MOSFET SiC NXH011F120M3F2

I moduli MOSFET SiC EliteSiC NXH011F120M3F2 di onsemi sono dotati di una configurazione a ponte completo con MOSFET SiC M3S da 11 mΩ/1.200 V. I moduli integrano un termistore e un DBC HPS in un package F2, consentendo la realizzazione di progetti di convertitori di potenza compatti ad alta efficienza. Il modulo NXH011F120M3F2 di onsemi è disponibile in due versioni con materiale di interfaccia termica preapplicato e in una versione senza TIM preapplicato. I moduli sono inoltre dotati di pin a inserimento a pressione e di una struttura senza piombo, priva di alogeni e conforme alla direttiva RoHS, per una facile integrazione nei moduli di potenza.

Risultati: 6
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Confezione
onsemi Moduli MOSFET 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package
Scheda dati
28A magazzino
66,00 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 3
SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 77 A 19 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 198 W Tray
onsemi Moduli MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package
Scheda dati
2014/12/2026 previsto
130,57 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 2
SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 244 W Tray
onsemi Moduli MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package
Scheda dati
2014/12/2026 previsto
114,29 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 2
SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 91 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 272 W Tray
onsemi Moduli MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Scheda dati
2816/02/2027 previsto
62,52 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 3
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 333 W Tray
onsemi Moduli MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Scheda dati
2816/02/2027 previsto
71,30 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 3
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 240 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 500 W Tray
onsemi Moduli MOSFET EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Scheda dati
2816/02/2027 previsto
69,03 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 3
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W Tray