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SI7454FDP-T1-RE3

Name: Vishay SI7454FDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI7454FDP-T1-RE3
Price: 1.4 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SI7454FDP-T1-RE3

N. produttore:

SI7454FDP-T1-RE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

Scheda dati:

SI7454FDP-T1-RE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-SO-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	23.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	29.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.4 V
Qg - Carica del gate:	17.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	39 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay / Siliconix
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	33 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns

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Scheda dati

SI7454FDP-T1-RE3 Scheda dati

Technical Resources

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET Si7454FDP a canale N 100V

Il MOSFET a canale N da 100 V Vishay/Siliconix Si7454FDP è un MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV con una figura di merito (FOM) RDS x Qg molto bassa. Si7454FDP presenta un 23,5 A I_D e 8 nC Q_G. Il MOSFET Si7454FDP Vishay/Siliconix è alloggiato in un singolo package PowerPAK^® SO-8 e ha un intervallo di temperatura di funzionamento e giunzione operativa specifica da -55 °C a +150 °C.

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I MOSFET Si74 Vishay presentano la tecnologia TrenchFET® che riduce la resistenza in conduzione, garantendo affidabilità e prestazioni in una gamma da 30 V a 250 V. I MOSFET a canale N e P sono privi di alogeni secondo la definizione IEC 61249-2-21. Alloggiati nel package PowerPAK®, questi MOSFET vantano una bassa resistenza termica, dimensioni compatte e un profilo sottile di 1,07 mm, caratteristiche che li rendono ideali per applicazioni in cui la gestione termica e dello spazio sono fondamentali.

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I MOSFET Gen IV TrenchFET^® di Vishay/Siliconix offrono una bassa resistenza in conduzione del settore e una bassa carica totale del gate in package SO-8 e 1212-8S PowerPAK^®. Questi MOSFET Gen IV TrenchFET presentano una R_DS(on) estremamente bassa, che si traduce in perdite di conduzione inferiori per una riduzione del consumo energetico. I MOSFET TrenchFET sono disponibili anche con package 1212-8 PowerPAK^® che consentono di risparmiare spazio con un'efficienza simile e un terzo delle dimensioni. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC ad alta potenza, raddrizzamento sincrono, microinverter solari e interruttori per unità di azionamento motore.

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	0,588 €	58,80 €
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	0,364 €	2.184,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

SI7454FDP-T1-RE3

Produttore: Vishay / Siliconix

Descrizione: MOSFET SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

Caratteristiche tecniche

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