Raddrizzatori di ingresso trifase PIM da 1200 V

I raddrizzatori di ingresso trifase PIM da 1200 V di Infineon Technologies sono moduli IGBT PIM trifase EconoPIM™ 2 1200 V, 100 A. I raddrizzatori presentano IGBT7 TRENCHSTOP™, diodo Emitter Controlled 7 e NTC. Il PIM (Power Integrated Module) con l'integrazione di raddrizzatore e chopper del freno consente di risparmiare sui costi del sistema. 

Risultati: 7
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Collettore a corrente continua a 25 °C
Corrente di perdita gate-emettitore
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Tecnologia
Confezione
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Scheda dati
28A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies Moduli IGBT LOW POWER ECONO
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 3 settimane
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 3 settimane
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 3 settimane
Min: 15
Mult.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 15
Mult.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP50R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 15
Mult.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray