PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs utilize Trench technology to improve the product characteristics. These MOSFETs feature low drain-source on resistance and 80V drain-source voltage. The PSMxN08NS1 MOSFETs are 100% avalanche-tested, 100% Rg-tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are ideal for use in Battery Management Systems (BMSs), Brushless Direct Current (BLDC) motors, SMPS, and telecommunications power systems.

Risultati: 4
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Panjit MOSFET 80V 5.5mohm MV MOSFET
Scheda dati
239A magazzino
Nastro continuo
1,87 €
1,43 €
1,05 €
Nastrati
0,818 €
0,639 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 108 A 5.5 mOhms 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 150 C 113.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 80V 5.5mohm Tjmax 175C MV MOSFET
Scheda dati
1.388A magazzino
1,70 €
0,815 €
0,728 €
0,664 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 111 A 5.5 mOhms 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 80V 3.4mohm MV MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna 20 settimane
Nastro continuo
2,37 €
1,19 €
1,04 €
0,955 €
Nastrati
0,82 €
Visualizza
Min: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 161 A 3.4 mOhms 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
0,826 €
0,759 €
Min: 2.000
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 166 A 3.4 mOhms 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement Tube