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NTH4L060N065SC1

Name: onsemi NTH4L060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L060N065SC1
Price: 9.41 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTH4L060N065SC1

N. produttore:

NTH4L060N065SC1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V

Scheda dati:

NTH4L060N065SC1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	33 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	70 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.3 V
Qg - Carica del gate:	74 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	88 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11 ns
Transconduttanza diretta - Min:	12 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	14 ns
Serie:	NTH4L060N065SC1
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	24 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns

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Scheda dati

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Repubblica di Corea

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso R_DS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).

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Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) NTH4L060N065SC1 di Onsemi offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Il MOSFET ha una bassa resistenza in conduzione e le sue dimensioni compatte del chip garantiscono bassa capacità e carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

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NTH4L060N065SC1

Produttore: onsemi

Descrizione: MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V

Caratteristiche tecniche

Documenti (2)

Scheda dati

PCN

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

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