Risultati: 11
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
1.043A magazzino
1.00003/09/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 10
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
3.280A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
558A magazzino
1.00003/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
365A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
1.673A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 60
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
316A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
616A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
1.650A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
6.004A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
66A magazzino
2.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
1.96828/07/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement