MOSFET di potenza SiC a canale N di 4a generazione

I MOSFET di potenza in carburo di silicio (SiC) a canale N di 4a generazione di ROHM Semiconductor offrono basse resistenze in conduzione con miglioramenti nel tempo di resistenza a cortocircuito. I MOSFET SiC di 4a generazione sono semplici da azionare e mettere in parallelo. I MOSFET sono caratterizzati da velocità di commutazione/recupero inverso elevate, basse perdite di commutazione e una temperatura operativa massima di +175 °C. I MOSFET di potenza SSiC N-Channel di quarta generazione di ROHM supportano una tensione di commutazione tra gate e source di 15 V che contribuisce al risparmio energetico del dispositivo.