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EPC2305

Name: EPC EPC2305
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2305
Price: 7.58 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

65-EPC2305

N. produttore:

EPC2305

Produttore:

EPC

Descrizione:

GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

Ciclo di vita:

Nuovo a Mouser

Scheda dati:

EPC2305 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	EPC
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	133 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, 6 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	22 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	eGaN FET
Marchio:	EPC
Configurazione:	Single
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Prodotto:	Power Transistor
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	31,200 mg

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Scheda dati

EPC2305 Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Malesia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2305 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is available in a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management. The EPC2305 features 150V drain-source breakdown voltage (continuous) V_DS and 2.2mΩ typical and 3mΩ maximum drain-source on resistance R_DS(on). This power resistor from EPC provides efficient operation in many topologies, thanks to the ultra-low capacitance and zero reverse recovery (Q_RR) of the eGaN^® FET. Typical applications for the EPC2305 include phones, notebooks, gaming PCs, power tools, home robotics, e-mobility, and solar.

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Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	7,58 €	7,58 €
	4,13 €	41,30 €
	3,80 €	380,00 €
	3,76 €	1.880,00 €
	3,44 €	3.440,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	3,19 €	9.570,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

EPC2305

Produttore: EPC

Descrizione: GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

Caratteristiche tecniche

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