NVH4L020N090SC1

onsemi
863-NVH4L020N090SC1
NVH4L020N090SC1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

Scheda dati:
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onsemi
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
TO-247-4
EliteSiC
Marchio: onsemi
Confezione: Tube
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Serie: NVH4L020N090SC1
Quantità colli di fabbrica: 30
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
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Scheda dati

PCN

Codici di conformità
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso RDS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).

MOSFET EliteSiC (carburo di silicio) da 900 V

I MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 900 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza in conduzione e le dimensioni compatte del chip garantiscono bassa capacità e carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono alta efficienza, frequenza di funzionamento più rapida, maggiore densità di potenza, EMI ridotta e dimensioni del sistema ridotte.

A magazzino: 450

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Prezzo esteso:
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Prezzi (EUR)

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Prezzo esteso
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