MOSFET di potenza in carburo di silicio 1.200 V

I MOSFET di potenza in carburo di silicio 1.200 V di Wolfspeed  definiscono lo standard in termini diprestazioni, robustezza e facilità di progettazione. I MOSFET Wolfspeed offrono commutazione rapida e bassa perdita di commutazione, garantendo un significativo miglioramento dell’efficienza del sistema, della densità di potenza e del costo complessivo della distinta base rispetto ai MOSFET in silicio e ai tradizionali IGBT.

Risultati: 24
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 350m,1200V, TO-263-7, Industrial
Scheda dati
990A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
Scheda dati
670A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-263-7, Industrial
Scheda dati
862A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Scheda dati
661A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Scheda dati
644A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 21m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
409A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 16m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
790A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 32m, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Scheda dati
460A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Scheda dati
314A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Scheda dati
367A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Scheda dati
430A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
Scheda dati
874A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 111 nC - 40 C + 175 C 277 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 350m,1200V, TO-247-3, Industrial
Scheda dati
860A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
69A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
220A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
382A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Scheda dati
369A magazzino
90011/12/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 99 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-247-3, Industrial
Scheda dati
1.034A magazzino
1.80016/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
Scheda dati
8A magazzino
45016/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 54 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Scheda dati
48A magazzino
45012/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 32m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
45017/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Scheda dati
69512/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 21m, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Scheda dati
76107/12/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Scheda dati
76019/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement