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Moduli a mezzo ponte MOSFET SiC 1.200 V GCMX
I moduli a semiponte MOSFET SiC GCMX da 1200 V SemiQ offrono basse perdite di commutazione, bassa resistenza termica da giunzione a involucro e montaggio molto robusto e semplice. Questi moduli montano direttamente il dissipatore di calore (package isolato) e includono un riferimento Kelvin per un funzionamento stabile. Tutti i componenti sono stati rigorosamente testati per resistere a tensioni superiori a 1350 V. La caratteristica di spicco di questi moduli è la robusta tensione drain-source di 1200 V. I moduli a semiponte GCMX operano a una temperatura di giunzione di 175°C e sono conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono inverter fotovoltaici, caricabatterie, sistemi di accumulo di energia e convertitori CC-CC ad alta tensione.