Risultati: 10
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 3.296A magazzino
Nastro continuo
23,61 €
18,36 €
17,52 €
17,38 €
Nastrati
17,38 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V 639A magazzino
7,59 €
5,03 €
4,64 €
4,61 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V 498A magazzino
8,72 €
5,79 €
5,45 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 312A magazzino
Nastro continuo
10,55 €
5,94 €
5,80 €
5,49 €
Nastrati
5,49 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217A magazzino
14,99 €
8,57 €
8,54 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TOLL 650V 1.364A magazzino
Nastro continuo
9,56 €
6,51 €
6,28 €
Nastrati
6,28 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V 202A magazzino
24,74 €
17,37 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 301A magazzino
1.350In ordine
8,20 €
4,61 €
4,24 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS 60MOHM 900V 330A magazzino
Nastro continuo
11,43 €
7,34 €
6,94 €
Nastrati
6,94 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 13A magazzino
45009/02/2027 previsto
9,31 €
5,61 €
4,55 €
4,15 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC