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MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K
I MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K di ROHM Semiconductor presentano due MOSFET 40 V o 60 V in un piccolo package SOP8 a montaggio superficiale con otto terminali. La serie SH8K offre bassa resistenza in conduzione e RDS(on) massima di 8,4 mΩ, 12,4 mΩ o 19,4 mΩ. Altre caratteristiche sono la dissipazione di potenza 2 W e l’ID di corrente di drain ±8,5 A, ±10.5 o ±13,5 A. Questi MOSFET conformi a RoHS sono privi di alogeni e utilizzano il rivestimento senza piombo. I MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K di ROHM Semiconductor sono ideali per applicazioni di commutazione.