NVBG025N065SC1

onsemi
863-NVBG025N065SC1
NVBG025N065SC1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

Modello ECAD:
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onsemi
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
106 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
395 W
Enhancement
EliteSiC
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 8 ns
Transconduttanza diretta - Min: 27 S
Confezione: Reel
Confezione: Cut Tape
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Tempo di salita: 19 ns
Serie: NVBG025N065SC1
Quantità colli di fabbrica: 800
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Ritardo di spegnimento tipico: 32 ns
Tipico ritardo di accensione: 17 ns
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso RDS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).

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Prezzo esteso
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