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Diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S
I diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S di ROHM Semiconductor sono diodi planari epitassiali al silicio con bassa tensione diretta e bassa perdita di commutazione. Questi diodi ultrarapidi sono caratterizzati da una tensione inversa di picco di 200 V e da un intervallo di temperatura di stoccaggio compreso tra -55°C e 175°C. I diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S forniscono un'elevata capacità di sovraccarico di corrente. Questi diodi sono disponibili in un package TO-277A. I diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S sono conformi alla normativa RoHS e sono ideali per applicazioni di raddrizzamento generali.