RGT20NL65GTL

ROHM Semiconductor
755-RGT20NL65GTL
RGT20NL65GTL

Produttore:

Descrizione:
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT

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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
Si
TO-263-3
SMD/SMT
Single
650 V
2.1 V
30 V
20 A
53 W
- 40 C
+ 175 C
Reel
Cut Tape
Marchio: ROHM Semiconductor
Corrente di perdita gate-emettitore: 200 nA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 1000
Sottocategoria: IGBTs
Alias n. parte: RGT20NL65
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Scheda dati

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Codici di conformità
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Repubblica di Corea
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

IGBT Trench Field Stop RGT20NL65

L'IGBT Trench Field Stop RGT20NL65 di ROHM Semiconductor presenta una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore, ideale per inverter generici, UPS, condizionatore di potenza e applicazioni di saldatura. L'IGBT Trench Field Stop RGT20NL65 ROHM offre un tempo di resistenza ai cortocircuiti di 5μ secondi. Inoltre, il dispositivo è specificato con ±una tensione gate-emettitore di 30 V e una corrente del collettore di 20 A a 25° °C.

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

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Prezzo esteso
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